良好的转印操作性，无需预切，可满足嵌入式封装形式
膜厚均匀，可满足晶圆级烧结键合
高剪切强度，剪切强度可达60MPa以上
高热导率，热导率>200W/mK
| 指标 | 性能 | 备注 |
| 固含量 | ≥99% | 根据TG结果 |
| 粒径尺寸 | ≤3 μm | |
| 卤素含量 | 零卤素 | |
| 操作工艺 | 转印 | |
| 烧结温度 | 230-250℃ | |
| 烧结压力 | 10-20 MPa | |
| 烧结气氛 | 真空、惰性气氛 | |
| 烧结表面 | Ag、Au、Cu | |
| 是否需要清洗残留物 | 无需清洗 | 基板表面无残留 |
| 储存条件 | 常温、氮气气氛 | |
| 保质期 | 6个月 |
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