采用电学法,通过测量结温瞬态变化,获取热流路径上各材料层的温升和热阻值(结构函数热分析功能)
测量对象覆盖广,包括:Diode,LED,LD,BJT,IGBT,HEMT,VDMOS,SiCMOSFET等:
可根据用户特殊用途提供“一对一”定制化服务,人机交互界面友好,测量过程自动;采用独创的动态温度系数测量方法,测量速度传统方法
提高10倍以上;精度高,对被测器件无损;并通过第三方机构计量和可靠性试验
符合JEDECJESD51-1、GB/T4023-1997、MIL-STD-750D等国内外测试标准
