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QLAgF7110烧结银膜

QLAgF7110烧结银膜

QLAgF7110是一款适用于有压烧结工艺的纳米银膜,采用银膜转印工艺,操作工艺简单高效。烧结接头具有优异的导电导热性能和界面连接强度,适合于芯片烧结及大面积晶圆键合。

基本参数

指标 性能 备注
固含量 ≥99% 根据TG结果
粒径尺寸 ≤3 μm  
卤素含量 零卤素  
操作工艺  转印  
烧结温度 230-250℃  
烧结压力 10-20 MPa  
烧结气氛 真空、惰性气氛  
烧结表面 Ag、Au、Cu  
是否需要清洗残留物 无需清洗 基板表面无残留
储存条件 常温、氮气气氛  
保质期 6个月  

产品性能

QLAgF7110的优势

• 良好的转印操作性,无需预切,可满足嵌入式封装形式

• 膜厚均匀,可满足晶圆级烧结键合

• 高剪切强度,剪切强度可达60MPa以上

• 高热导率,热导率>200W/mK